载流子迁移率：在电场作用下，半导体（或导体）中的电荷载流子（电子或空穴）产生漂移运动的“灵活程度”。通常定义为漂移速度与电场强度之比，常用单位为 cm²/(V·s) 或 **m²/(V·s)**。常见还有“电子迁移率”“空穴迁移率”等更具体用法。
/ˈkæriər moʊˈbɪləti/
The carrier mobility decreases as temperature rises.
温度升高时，载流子迁移率会下降。
In high-quality silicon, carrier mobility is strongly affected by impurity scattering and lattice vibrations, which in turn influence the device’s switching speed.
在高质量硅材料中，载流子迁移率会显著受杂质散射与晶格振动影响，而这又会影响器件的开关速度。
carrier 来自动词 carry（携带、运载），在物理语境中引申为“携带电荷的人/物”，即“载流子”。mobility 源自拉丁语 mobilis（可移动的），表示“运动能力、机动性”。合在一起即“电荷载体的可移动能力”，对应中文“迁移率”。
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